国内碳化硅（SiC）衬底厂商技术哪家强？

发布日期：2024/7/4 11:26:06

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国内碳化硅（SiC）衬底厂商技术哪家强？碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等方面展现出显著优势。其在高温、高压、高频领域的优异表现，使其成为半导体材料技术领域的关键发展方向之一。

碳化硅器件的产业链主要由三个环节组成：衬底、外延和器件制造（包括设计、制造和封测）。

从生产工艺流程来看，首先将碳化硅粉末通过长晶技术形成晶碇，随后进行切片、打磨和抛光，制成碳化硅衬底。接着在衬底上进行外延生长，形成外延片。外延片再经过一系列步骤，如光刻、刻蚀、离子注入和沉积，最终制造成器件。碳化硅产业链的价值主要集中在衬底和外延环节，这两部分的成本分别占到整个器件成本的47%和23%，合计约70%，而器件设计、制造和封测等后续环节则仅占30%。

从产业链价值分布来看，衬底厂商拥有重要的话语权，是实现国产化突破的关键。目前，本土碳化硅衬底厂商正在加大投入，在技术升级和下游客户导入方面都取得了显著进展，国产替代正稳步推进。