- 研究所专用底部防反射涂层AZ BARLi-II
底部防反射涂层材料,,系列许总零应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层在减小称底特别是高反射率称底的反射率，从而提高光刻胶线宽控制方面，的底部防反射涂层材料是一种必需的手段。该产品范围覆盖了线工艺，另外，它也适用于的工艺,,特征对线等高分辨率光刻胶具有很好的亲和性中性成分组成以及高温交联剂的使用使
发布日期：2026/6/4 10:09:02 - 光电研究所专用高感光度高热稳定性正胶AZ 6112
系列光刻胶许总零高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性，从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围许总零参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体
发布日期：2026/6/4 10:09:01 - 研究所耐高温蒸镀反转光刻胶负胶AZ 5200NJ
系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液
发布日期：2026/6/4 10:09:00 - 研究所开发耐高温蒸镀底切形状负胶AZ 5218E
系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液
发布日期：2026/6/4 10:08:59 - 大学耐高温蒸镀底切形状负胶AZ 5214E
系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液
发布日期：2026/6/4 10:08:58 - 光电所Lift-off工艺图形反转正/负可转换AZ5200E
系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液
发布日期：2026/6/4 10:08:57 - 研究所耐高温蒸镀反转光刻胶负胶AZ 5206E
系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液
发布日期：2026/6/4 10:08:55 - 大学开发高感光度干法蚀刻TGV工艺正胶AZ 1500
系列光刻胶许总零高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进许总零广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电
发布日期：2026/6/4 10:08:54 - 大学研究所开发第五代以上液晶面板制造的正胶AZ SR-210
系列光刻胶许总零应用于第五代以上液晶面板制造的涂布正型光刻胶系列适用于第五代以上液晶面板涂布工艺特征适用于涂布方式与旋涂式光刻胶相比，有同样良好的涂布均匀性许总零节省光刻胶使用量以及节约能量工艺窗口很宽参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或高浓度碱性溶液产品型号产品感光
发布日期：2026/6/4 10:08:53 - 研究所应用于通孔图形的KrF正型光刻胶AZ DX3200P
系列光刻胶许总零应用于通孔图形的正型光刻胶超高分辨率正型光刻胶，为通孔图形优化,特征工艺窗口大许总零适用于相移光罩适用于密集线图形参考工艺条件前烘秒曝光步进式曝光机曝光后烘烤秒显影秒清洗去离子水秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客
发布日期：2026/6/4 10:08:52