深圳市芯泰科光电有限公司
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  • 大学研究所开发液晶面板制造的旋涂正胶AZ TFP-310K

    系列光刻胶许总零应用于液晶面板制造的旋涂式正型线光刻胶为液晶面板制造,特别为彩色滤光片的制造工艺优化,使用安全溶剂,特征许总零在大面积玻璃称底上实现良好的涂布特性在铬膜和薄膜上实现高附着性同时实现高附着性和高可去除性参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影氢氧化钾秒秒清洗去离子水秒后烘秒和或分钟烘箱剥离剥离

    发布日期:2026/6/4 10:08:41

  • 光电研究所开发高感光度湿法蚀刻TGV工艺正胶AZ 1500

    系列光刻胶许总零高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进许总零广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电

    发布日期:2026/6/4 10:08:40

  • 光电所用于电镀超厚膜,高分辨率正胶AZ10XT(520cP)

    系列光刻胶许总零应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率线正型光刻胶超厚膜,高分辨率,高纵宽比线正型光刻胶,适用于微电镀工艺特征许总零高分辨率,高纵宽比高附着性,对电镀工艺高耐受性多种粘度可供选择参考工艺条件前烘秒以上曝光线步进式曝光机接触式曝光系统许总零显影显影液秒显影液秒清洗去离子水后烘秒以上剥离剥离液

    发布日期:2026/6/4 10:08:39

  • 研究所用于电镀超厚膜,高分辨率正胶AZ10XT(220cP)

    系列光刻胶许总零应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率线正型光刻胶超厚膜,高分辨率,高纵宽比线正型光刻胶,适用于微电镀工艺特征许总零高分辨率,高纵宽比高附着性,对电镀工艺高耐受性多种粘度可供选择参考工艺条件前烘秒以上曝光线步进式曝光机接触式曝光系统许总零显影显影液秒显影液秒清洗去离子水后烘秒以上剥离剥离液

    发布日期:2026/6/4 10:08:38

  • 大学研究所开发厚膜高解晰度高感光度正胶AZ MIR-950

    系列光刻胶许总零厚膜高解像度高感光度线正型光刻胶厚膜,高分辨率高感光度线正型光刻胶,适用于超高剂量离子注入工艺和厚金属层蚀刻工艺在超厚膜工艺上达成高分辨率和高感光度高对准精度在厚度下可使用显影液许总零,,,深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客户群体三安光电中国中材中谷

    发布日期:2026/6/4 10:08:36

  • 光电研究所开发厚膜高解晰度高感光度正胶AZ MIR-900

    系列光刻胶许总零厚膜高解像度高感光度线正型光刻胶厚膜,高分辨率高感光度线正型光刻胶,适用于超高剂量离子注入工艺和厚金属层蚀刻工艺在超厚膜工艺上达成高分辨率和高感光度高对准精度在厚度下可使用显影液许总零,,,深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客户群体三安光电中国中材中谷

    发布日期:2026/6/4 10:08:35

  • 大学研究所开发TAB制造和柔性衬底工艺的AZ 8100DB5

    应用于制造和柔性衬底工艺的系列光刻胶正型光刻胶许总零高附着性和高柔软度,最适用于在柔性衬底工艺上高感光度,高产出率该光刻胶有着很好的分辨率和热稳定性,从而实现很窄的线宽前烘分钟烘箱曝光线步进式曝光机接触式曝光系统显影显影液秒清洗去离子水秒后烘分钟烘箱许总零剥离剥离液应用于制造和柔性衬底工艺的正型光刻

    发布日期:2026/6/4 10:08:34

  • 光电研究所开发TAB制造和柔性衬底工艺的AZ 8112

    应用于制造和柔性衬底工艺的系列光刻胶正型光刻胶许总零高附着性和高柔软度,最适用于在柔性衬底工艺上高感光度,高产出率该光刻胶有着很好的分辨率和热稳定性,从而实现很窄的线宽前烘分钟烘箱曝光线步进式曝光机接触式曝光系统显影显影液秒清洗去离子水秒后烘分钟烘箱许总零剥离剥离液应用于制造和柔性衬底工艺的正型光刻

    发布日期:2026/6/4 10:08:33

  • 研究所开发顶部防反射涂层AZ AQUATAR-Ⅵ

    顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下,有必要使用系列改善光刻胶线宽,并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性,有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液,因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布

    发布日期:2026/6/4 10:08:32

  • 大学开发 顶部防反射涂层AZ AQUATAR-Ⅲ-45

    顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下,有必要使用系列改善光刻胶线宽,并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性,有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液,因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布

    发布日期:2026/6/4 10:08:29