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系列光刻胶高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电有限公司光电
发布日期：2026/9/3 6:30:39 - 吉林省延边朝鲜族自治州敦化市生物芯片材料开发用2026特别推产品
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超厚正胶它是难附着表面超厚膜光刻高深宽比刻蚀大结构图形低热基板的专用正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超厚膜正性光刻胶，可实现超厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶支持边缘珠去除工艺，超厚膜均匀性与结构稳定性优异，广泛应用于
发布日期：2026/9/3 6:22:13 - 江西省上饶市婺源县硅材料项目开发2026年友情推荐
耐蚀刻正胶它是难附着表面厚膜高精度反射衬底低热基板厚胶刻蚀的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力厚膜正性光刻胶，可实现厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制一核心应用场景难附着表面厚膜光刻匹配金属合金氧化物氮化物异质结等极易脱膜翘边底切的表面许总要求超高附着力，但不能不推荐使
发布日期：2026/9/3 6:17:23 - 陕西省延安市黄陵县封装应用论文用2026年专业推荐
高精度正胶它是难附着表面中厚膜高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中厚膜正性光刻胶，可实现中厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
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高附着力正胶它是难附着表面超薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超薄正性光刻胶，可实现超薄层图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导
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耐蚀刻负胶它是厚膜刻蚀掩模厚金属电镀高温高深宽比结构的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于厚膜干法刻蚀厚金属电镀功率器件传感器光电器
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金属剥离负胶它是高温制程中厚膜金属剥离的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备耐高温优异膜厚均匀性无需增粘剂高分辨率快显影等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件高温与高精度剥离制
发布日期：2026/9/3 5:52:11