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发布日期：2026/8/13 18:08:34 - 河北省保定市雄县开发用热线
高精度负胶它是高精度薄层图形高温制程干法刻蚀超细电极掩模的理想型号。是适用于紫外曝光的超高分辨率薄层负性光刻胶，可实现薄膜图形化，具备超高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于超精细半导体器件功率器件传感器光电器件高温与干法刻蚀
发布日期：2026/8/13 18:04:24 - 甘肃省陇南市礼县传感器芯片材料答辨用年度最佳供应商
高精度负胶它是超精细图形高温制程干法刻蚀超薄掩模的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶，可实现超薄膜图形化，具备超高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶可通过高温固化成为器件永久结构，广泛应用于超精细半导体器件功率器件传感器光电器件高温与干法
发布日期：2026/8/13 18:00:16 - 江苏省苏州市吴江区CPIO工艺材料项目开发2026年友情推荐
超厚负胶是超厚金属电镀高深宽比结构大功率器件的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的超厚膜负性光刻胶，可实现超厚膜图形化，具备高分辨率快显影电镀环境下附着力优异易去除等特点，能够满足高深宽比结构加工需求。该光刻胶广泛应用于超厚金属电镀微结构大功率器件射频器件微流控芯片玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合需要超厚
发布日期：2026/8/13 17:55:14 - 江苏省宿迁市泗洪县人工智能芯片材料实验用2026最专业推荐
负胶是低能量曝光专用金属剥离的型号。是适用于宽谱紫外曝光的中薄层负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备超高感光度高分辨率快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶在弱光与低能量曝光环境下仍能稳定成像，广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工
发布日期：2026/8/13 17:50:15 - 台湾省高雄市鼓山区IGBT材料答辨用2026年友情推荐
负胶适合曝光能量弱多波长设备中薄层金属剥离场景。是适用于多波长紫外曝光的中薄层负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备超高感光度快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶兼容多种曝光设备，涂覆均匀且工艺稳定，广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基
发布日期：2026/8/13 17:46:04 - 四川省甘孜藏族自治州得荣县MCU芯片材料新产品开发2026年特别推荐
负胶专门用于超厚金属电极的剥离工艺。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，专为厚膜金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件厚金属电极传感器射频光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合厚
发布日期：2026/8/13 17:42:39 - 河北省张家口市阳原县答辨用2026年友情推荐
电镀负胶厚金属电镀厚膜湿法刻蚀大功率器件的厚膜胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚膜图形化，具备高分辨率高感光度快显影耐高温在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点，可通过或丙酮去除，且室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件厚金属电镀厚膜湿法刻蚀传感器玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合
发布日期：2026/8/13 17:38:37 - 香港香港岛湾仔区新产品开发2026年特别推荐
负胶专门用于中厚金属电极的剥离工艺是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件中厚金属电极传感器射频光电器件等领域，尤其适合需要中厚膜高精度无毛
发布日期：2026/8/13 17:34:08 - 河北省秦皇岛市北戴河区光电课题组咨询2026年特别推荐
干湿蚀刻负胶是适用于紫外曝光的中薄层负性光刻胶，可实现膜厚图形化，具备高分辨率快感光快显影耐高温在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点，可在室温下使用轻松去除，且室温保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件金属电镀湿法刻蚀传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合需要高附着力中薄层精细图形与湿法
发布日期：2026/8/13 17:30:11