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蒸镀负胶它是金属剥离工艺的专用胶是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件微细电极传感器光电器件等领域，尤其适合需要高精度金属剥离无毛刺图形制备
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高精度负胶它专门用于超精细超薄高精度的半导体与微纳加工。是适用于紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶，可实现超薄膜图形化，具备超高分辨率高感光度优异附着力易去除等特点，且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件超精细半导体工艺传感器光电器件等领域，尤其适合超薄层超精细线宽高精度图形的光刻加工
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干法刻蚀负胶它是低能量曝光厚膜高温干法刻蚀场景的专用胶。是适用于多波长紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现膜厚图形化，具备超高感光度快显影耐高温抗干法刻蚀易去除等特点，兼容多种曝光设备与低热导基板工艺。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷加工等领域，尤其适合低曝光能量多波长兼容高温与中厚膜
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干法刻蚀负胶它中厚膜高温工艺干法刻蚀高精度垂直侧壁的场景。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现膜厚图形化，显影后具有优异的垂直侧壁轮廓，同时具备高分辨率高感光度耐高温抗干法刻蚀易去除等特点，且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合需要高精
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干法刻蚀负胶适合中等膜厚需要高温干法刻蚀高精度侧壁的工艺。是适用于紫外曝光的中薄层负性光刻胶，可实现薄膜图形化，显影后具有优异的垂直侧壁轮廓，同时具备高分辨率高感光度耐高温抗干法刻蚀易去除等特点，且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合需要高精
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精细图形干法刻蚀负胶专门用于薄层精细图形高温工艺干法刻蚀场景。是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶，可实现薄膜图形化，具备高分辨率高感光度优异的耐高温性与抗干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件等领域，尤其适合薄层精细图形加工高温半导体工艺与浅深度干法刻
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干法刻蚀专用厚胶它是高温半导体工艺高深宽比干法刻蚀的专用厚胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚胶图形化，具备高分辨率高感光度优异的耐高温性与抗干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件玻璃陶瓷基板等领域，尤其适合高温半导体工艺与高深宽比干法刻蚀的厚胶光刻。核
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厚膜负性光刻胶许总是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚胶图形化，具备高分辨率高感光度优异的耐高温性与抗干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件玻璃陶瓷基板等领域，尤其适合需要耐高温抗等离子体刻蚀的厚胶光刻与高深宽比结构加工。核心应用场景匹配常用第三代半导体功率
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厚膜型负性光刻胶许总是推出的厚膜型负性光刻胶，适配紫外曝光设备，具备高分辨率高感光度显影快电镀附着力优异易去除等优势，主溶剂为丁内酯，固含量，储存保质期年，可通过旋涂转速与烘烤参数获得厚膜，适配硅玻璃等基板，显影用去胶用丙酮，使用时需注意防火与安全防护。主要用于功率器件高压结构的厚胶光刻工艺应用工艺
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厚膜负胶许总是推出的厚膜用负性光刻胶，适配紫外曝光设备，具备高分辨率高感光度显影快附着力优易去除保质期年等优势，主溶剂为丁内酯，显影液为碱性水溶液，工艺涵盖旋涂软烘曝光后烘显影去胶等步骤，可通过转速调控获得厚膜，感光度为，存储条件下保质期年，使用时需注意防火与防护。应用工艺第三代半导体功率器件核心常
发布日期：2026/5/27 11:59:26