深圳市芯泰科光电有限公司
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  • 吉林省通化市二道江区开发用2026特别推产品

    厚膜负胶许总是推出的厚膜用负性光刻胶,适配紫外曝光设备,具备高分辨率高感光度显影快附着力优易去除保质期年等优势,主溶剂为丁内酯,显影液为碱性水溶液,工艺涵盖旋涂软烘曝光后烘显影去胶等步骤,可通过转速调控获得厚膜,感光度为,存储条件下保质期年,使用时需注意防火与防护。应用工艺第三代半导体功率器件核心常

    发布日期:2026/7/17 2:40:35

  • 山东省青岛市市北区MEMS器件研发用2026最专业推荐

    晶圆激光切割保护胶产品热线许经理扣扣捌零深圳市芯泰科光电有限公司,创立于年,是一家服务于微电子领域的产品贸易及技术服务提供商。我们已经成为国内微电子制程领域和相关大学研究所信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户,以客户满意为导向,提供优质率的专业服务,提供产品行销及技术支援解决方案。我们目标是

    发布日期:2026/7/17 2:35:47

  • 黑龙江省哈尔滨市尚志市SOC芯片材料咨询2026年特别推荐

    超厚正胶它是难附着表面超厚膜光刻高深宽比刻蚀大结构图形低热基板的专用正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超厚膜正性光刻胶,可实现超厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶支持边缘珠去除工艺,超厚膜均匀性与结构稳定性优异,广泛应用于

    发布日期:2026/7/17 2:30:56

  • 黑龙江省黑河市孙吴县咨询2026年特别推荐

    耐蚀刻正胶它是难附着表面厚膜高精度反射衬底低热基板厚胶刻蚀的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力厚膜正性光刻胶,可实现厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制一核心应用场景难附着表面厚膜光刻匹配金属合金氧化物氮化物异质结等极易脱膜翘边底切的表面许总要求超高附着力,但不能不推荐使

    发布日期:2026/7/17 2:27:09

  • 河北省石家庄市灵寿县基因测序芯片材料咨询2026年专业推荐

    高精度正胶它是难附着表面中厚膜高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中厚膜正性光刻胶,可实现中厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低

    发布日期:2026/7/17 2:23:36

  • 河南省安阳市殷都区芯片级封装材料产品2026年友情推荐

    高精度正胶它是难附着表面中薄层高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶,可实现中薄层图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低

    发布日期:2026/7/17 2:19:27

  • 湖南省株洲市芦淞区微流体控制芯片新产品开发2026年专业推荐

    高精度正胶它是难附着表面薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力薄层正性光刻胶,可实现薄膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导基板科

    发布日期:2026/7/17 2:15:17

  • 辽宁省阜新市清河门区光电项目组项目开发年度最佳供应商

    高附着力正胶它是难附着表面超薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超薄正性光刻胶,可实现超薄层图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导

    发布日期:2026/7/17 2:11:32

  • 四川省阿坝藏族羌族自治州阿坝县硅材料产品2026年友情推荐

    耐蚀刻负胶它是厚膜刻蚀掩模厚金属电镀高温高深宽比结构的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶,可实现厚膜图形化,显影后具有垂直侧壁形貌,具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速,广泛应用于厚膜干法刻蚀厚金属电镀功率器件传感器光电器

    发布日期:2026/7/17 2:07:04

  • 山东省济南市历城区电子元器件咨询2026年特别推荐

    金属剥离负胶它是高温制程中厚膜金属剥离的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备耐高温优异膜厚均匀性无需增粘剂高分辨率快显影等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件高温与高精度剥离制

    发布日期:2026/7/17 2:02:34