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厚膜型负性光刻胶许总是推出的厚膜型负性光刻胶，适配紫外曝光设备，具备高分辨率高感光度显影快电镀附着力优异易去除等优势，主溶剂为丁内酯，固含量，储存保质期年，可通过旋涂转速与烘烤参数获得厚膜，适配硅玻璃等基板，显影用去胶用丙酮，使用时需注意防火与安全防护。主要用于功率器件高压结构的厚胶光刻工艺应用工艺
发布日期：2026/7/13 9:24:54 - 广东省云浮市郁南县智能传感器芯片材料实验用2026最专业推荐
厚膜负胶许总是推出的厚膜用负性光刻胶，适配紫外曝光设备，具备高分辨率高感光度显影快附着力优易去除保质期年等优势，主溶剂为丁内酯，显影液为碱性水溶液，工艺涵盖旋涂软烘曝光后烘显影去胶等步骤，可通过转速调控获得厚膜，感光度为，存储条件下保质期年，使用时需注意防火与防护。应用工艺第三代半导体功率器件核心常
发布日期：2026/7/13 9:20:15 - 吉林省白山市长白朝鲜族自治县光机所咨询2026年专业推荐
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发布日期：2026/7/13 9:16:11 - 台湾省台中市中区IGBT材料产品2026年友情推荐
高精度正胶它是难附着表面中薄层高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶，可实现中薄层图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期：2026/7/9 14:02:26 - 广东省深圳市龙岗区研究所开发用热线
高精度正胶它是难附着表面薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力薄层正性光刻胶，可实现薄膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导基板科
发布日期：2026/7/9 13:57:56 - 广西壮族自治区南宁市马山县项目开发年度最佳供应商
高附着力正胶它是难附着表面超薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超薄正性光刻胶，可实现超薄层图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导
发布日期：2026/7/9 13:53:34 - 江苏省盐城市亭湖区SCI推荐开发用2026特别推产品
耐蚀刻负胶它是厚膜刻蚀掩模厚金属电镀高温高深宽比结构的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于厚膜干法刻蚀厚金属电镀功率器件传感器光电器
发布日期：2026/7/9 13:49:15 - 上海普陀区触摸应用研发用电话
金属剥离负胶它是高温制程中厚膜金属剥离的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备耐高温优异膜厚均匀性无需增粘剂高分辨率快显影等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件高温与高精度剥离制
发布日期：2026/7/9 13:45:24 - 黑龙江省绥化市明水县新产品开发2026年特别推荐
电镀负胶它是中厚膜高精度刻蚀掩模高温制程中厚金属电镀的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现中厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于中厚膜干法刻蚀中厚金属电镀功率器件传感器
发布日期：2026/7/9 13:41:31 - 浙江省温州市鹿城区人工智能芯片材料研发用2026最专业推荐
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发布日期：2026/7/9 13:38:09