深圳市芯泰科光电有限公司
更多>>
更多>>
新闻中心
  • 云南省保山市隆阳区集成电路研发用2026最专业推荐

    超厚负胶是超厚金属电镀高深宽比结构大功率器件的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的超厚膜负性光刻胶,可实现超厚膜图形化,具备高分辨率快显影电镀环境下附着力优异易去除等特点,能够满足高深宽比结构加工需求。该光刻胶广泛应用于超厚金属电镀微结构大功率器件射频器件微流控芯片玻璃陶瓷基底加工等领域,尤其适合需要超厚

    发布日期:2026/8/28 8:52:44

  • 新疆和田地区皮山县氮化镓芯片材料论文用2026年专业推荐

    负胶是低能量曝光专用金属剥离的型号。是适用于宽谱紫外曝光的中薄层负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备超高感光度高分辨率快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶在弱光与低能量曝光环境下仍能稳定成像,广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工

    发布日期:2026/8/28 8:48:10

  • 江西省吉安市吉安县HBM工艺材料新产品开发2026年专业推荐

    负胶适合曝光能量弱多波长设备中薄层金属剥离场景。是适用于多波长紫外曝光的中薄层负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备超高感光度快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶兼容多种曝光设备,涂覆均匀且工艺稳定,广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基

    发布日期:2026/8/28 8:43:53

  • 浙江省绍兴市绍兴县芯片材料课题开发2026特别推产品

    负胶专门用于超厚金属电极的剥离工艺。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶,专为厚膜金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件厚金属电极传感器射频光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域,尤其适合厚

    发布日期:2026/8/28 8:40:31

  • 陕西省延安市宜川县铜制程材料课题开发热线

    电镀负胶厚金属电镀厚膜湿法刻蚀大功率器件的厚膜胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶,可实现厚膜图形化,具备高分辨率高感光度快显影耐高温在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点,可通过或丙酮去除,且室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件厚金属电镀厚膜湿法刻蚀传感器玻璃陶瓷基底加工等领域,尤其适合

    发布日期:2026/8/28 8:36:53

  • 湖北省荆门市沙洋县课题开发2026特别推产品

    负胶专门用于中厚金属电极的剥离工艺是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件中厚金属电极传感器射频光电器件等领域,尤其适合需要中厚膜高精度无毛

    发布日期:2026/8/28 8:33:02

  • 江西省景德镇市珠山区microLED材料答辨用年度最佳供应商

    干湿蚀刻负胶是适用于紫外曝光的中薄层负性光刻胶,可实现膜厚图形化,具备高分辨率快感光快显影耐高温在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点,可在室温下使用轻松去除,且室温保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件金属电镀湿法刻蚀传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域,尤其适合需要高附着力中薄层精细图形与湿法

    发布日期:2026/8/28 8:28:04

  • 青海省海东地区互助土族自治县功率器件材料课题开发2026特别推产品

    蒸镀剥离负胶它是薄层精细光刻金属剥离浅刻蚀的通用型光刻胶。是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶,可实现薄膜图形化,具备高分辨率高感光度快显影优异附着力耐高温易去除等特点,且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件微细金属剥离传感器光电器件等领域,适合薄层精细光刻浅刻蚀掩模与微细电极图形化加工。一

    发布日期:2026/8/28 8:23:50

  • 贵州省贵阳市花溪区销售2026特别推产品

    蒸镀负胶它是金属剥离工艺的专用胶是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件微细电极传感器光电器件等领域,尤其适合需要高精度金属剥离无毛刺图形制备

    发布日期:2026/8/28 8:20:07

  • 新疆巴音郭楞蒙古自治州轮台县CIS芯片材料销售2026特别推产品

    高精度负胶它专门用于超精细超薄高精度的半导体与微纳加工。是适用于紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶,可实现超薄膜图形化,具备超高分辨率高感光度优异附着力易去除等特点,且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件超精细半导体工艺传感器光电器件等领域,尤其适合超薄层超精细线宽高精度图形的光刻加工

    发布日期:2026/8/28 8:15:06