正性光刻胶 品牌 产地 型号 厚度 特点 应用 Futurrex 美国 PR1系列 0.4μm～025μm 耐热温度=110 ℃ 湿刻、反应离子束刻蚀、离子植入、电镀 Micro Resist 德国 ma-P 1200系列 0.5～50μm 宽带、g或i线曝光。非常适合作为刻蚀掩模，极好的抗干刻、湿刻性能；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中极高的稳定性），光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影； CEMI 台湾 EXP-1500 5.0μm~30.0μm 高附着力 适合卷对卷roll to roll工艺。湿法蚀刻 EXP-1520T 5.0μm~14.0μm 耐干法蚀刻 适合高选择比蚀刻工艺。耐干法蚀刻正性光刻胶 EXP-1516S 5.0μm~14.0μm 耐电镀浸泡 适合厚铜长时间浸泡。适用于板级封装和ULED基板铜电镀工艺 AZ 德国 AZ-1500 0.8μm~4.5μm 高感光度，高附着性 G线适合湿法刻蚀工 AZ-6100 1.0μm~6.5μm 耐热耐干法蚀刻 G线适合高选择比蚀刻工艺。耐干法蚀刻正性光刻胶 AZ-3100 1.0μm~3.0μm 耐热耐干法蚀刻，高附着 G线I线适合高选择比蚀刻工艺。耐干法蚀刻正性光刻胶。合湿法刻蚀工 AZ-GXR-600 1.0μm~3.5μm 耐热耐干法蚀刻，高附着 G线I线适合高选择比蚀刻工艺。耐干法蚀刻正性光刻胶。合湿法刻蚀工 AZ-5200 5.0μm~14.0μm 正负反转胶，Lift-off工艺 适用于PVD金属蒸镀掩膜保护  AZ-MIR700 0.8μm~3.2μm 高感光度 I线正型光刻胶，符合ULSI和VLSI制造  AZ-MIR900 2.5μm~4.0μm 厚膜，高分辨率 I线适用于超高剂量离子注入工艺和厚金属层蚀刻工艺 AZ-DX3200P 5.0μm~14.0μm 超高分辨率 KrF适用于密集线图形,适用于half-tone相移光罩 AZ-DX5200P 5.0μm~14.0μm 高分辨率，大焦深 KrF适用于密集线图形,适用于HT-PSM光罩和普通Binary光罩 AZ-P4000 2.0μm~32.0μm 超厚膜，高对比度 G线适用于半导体制造及GMR磁头制造.适合电镀工艺，对电镀工艺高耐受性 AZ-10XT 4.0μm~16.0μm 厚膜，高分辨率，高纵宽比 I线适合电镀工艺，对电镀工艺高耐受性 AZ-PLP系列 7.0μm~18.0μm 高分辨率，高垂直性 适用于bumping和CSP重布线的超厚膜，高分辨率，对电镀工艺高耐受性正型光 AZ 8100 系 列 　 高附着性和高柔软度 最适用于在柔性衬底工艺上 AZ P1350 系 列 5.0μm~7μm 　 应用于光罩制造及光媒介于CD,LD,VCD等光盘制造 AZ TFP-300 系 列 　 高附着性和高可去除性 应用于液晶面板制造，在铬膜和ITO薄膜上实现高附着性 AZ TFP-600 系 列 　 高附着性和高可去除性 应用于液晶面板制造，在各种金属膜上实现高附着性 AZ SFP 系 列 　 高附着性和高可去除性 应用于第五代液晶面板制造。减少旋涂方式所产生的UROKO MURA缺陷，在TFT工艺的各种金属膜上实现高附着性 AZ SR 系 列 　 节省使用量以及节约能量 应用于第五代以上液晶面板制造 AZ RFP 系 列 　 辊式涂布 应用于液晶面板制造，在铬膜和ITO薄膜上实现高附着性 　 　 　 应于有机电致发光显示器